正常的结晶块，绿炉为绿色，黑炉为黑色，结晶有光泽，闪闪发光，呈链状结构，颗粒内大外小，分解层适度，无白毛和炭粒夹杂，结晶筒直径均匀，尺寸适度。炉象分析指对异常出炉现象的分析，找出原因，采取相应的措施。

1.硅过量

其特征是结晶中有白毛，结晶层内壁出现空腔，空腔中生成大片结晶，结晶块强度小，结晶层中无炭粒，分解石墨少，炉电阻大，工作电压高。电流小，冶炼时炉上冒白烟（硅化剂蒸气），甚至喷炉。引起硅过量原因有：混料不均、局部硅过量，炉芯表面负荷大，使分解层增层，炉料配比硅过量，焙烧料或混合料在运输加工过程中的碳损失，加的碳化硅细粉过多，使炉料透气性变坏，碳蒸气不能正常外逸等。此外，冷却浇水过急，也会使碳化硅氧化产生白毛，严重的有块状二氧化硅。

如在供电过程中已发现有硅过量迹象，应适当降低冶炼功率，以减少石墨分解层。

2.碳过量

其特征是结晶细小呈针状并夹杂炭粒，SiC分解石墨层增厚，炉电阻减小，工作电压低，电流大。

引起碳过量原因有：混料不均，局部碳过量。炉芯表面负荷小，或送电时间短，使分解层减薄，硅蒸气少。炉料配比碳过量。碳素原料粒度过粗，冶炼时未完全反应，呈粒状遗留在细晶块中，但晶体不是针状。

冶炼中解决措施：可适当增加冶炼功率，以增加石墨分解层厚度，给结晶层增加硅蒸气。

3.局部碳过量或硅过量

结晶层中既有白毛又有炭粒是混料不均造成的典型特征。产生原因是混料时间或次数不够，或是混料机进料边出料所致。解决措施是延长混料时间或增加混料次数，或是改进操作方法。

4.绿炉发黑或黑炉发绿

绿碳化硅炉的结晶色泽发黑，呈暗绿，或结晶筒内圈绿，外圈黑。主要原因是反应料中杂质多，或食盐加入量不足。黑碳化硅炉的结晶色泽发绿，主要原因是炉料纯度偏高，宜增投含杂质多的炉料。

5.外层结晶发红呈铁锈色

主要原因是炉料含铁较多，解决措施是采用含铁较少的原料及回炉料。

结晶层发乌，无光泽，是因浇水过早或烧水量过大，水与高温的碳化硅相遇所致。解决措施是浇水要适当。

结晶呈蓝色，彩色。其原因是冷却过急，是碳化硅在高温下遇空气，造成结晶表面氧化所致。解决措施是按工艺规定进行冷却。

6.结晶筒粗细不均匀

主要原因是炉芯装置不均匀，炉芯下部料密度小，炉芯下沉不均，炉芯上部料高度不均，造成对炉芯的压力不均。

7.石墨包裹着碳化硅

结晶筒内层呈半分解状态，石墨包裹着碳化硅其原因是冶炼后期炉功率变化大，炉温度波动大。应减小电压级差，以减小冶炼后期的炉功率波动。

8.一氧化碳点不燃

送电开始后，不能在1－2h内达到要求功率，一氧化碳点不燃其原因是炉芯材料电阻大，炉芯截面积小，炉芯摊料时加压不够，工作电压低。

9.送电后期调至最低工作电压仍过载

其原因是工作电压级数少，参数不合理，炉芯开始电阻小，炉料电阻过小。应正确设计变压器，或缩小炉芯截面积，减小炉芯材料填充密度。

10.冶炼后期炉底发红

其原因是炉芯位置偏下，下部料总厚度小。

11.结晶筒细，炉产量低

其原因是送电量少，回收料配入量少，电损失较大，如：食盐加入量过大，炉体漏电严重等。

12.出炉石墨少供不上循环使用

原因是炉料硅过量，分解层薄，炉芯表面负荷小，冶炼时间短。

13.碳化硅结晶细小

原因是冶炼时间过短，炉料中含铝量高。

14.炉端墙内面耐火砖熔化

原因是端墙内表面高温区无碳质砌体，电极伸向炉内长度小，炉芯与电极连接处喇叭形石墨少。解决措施是在熔化处补修碳质材料耐火层，增大、压实喇叭形石墨。

15.炉底料结块严重

原因是炉料中含盐过多。可减少食盐加入量，乏料进行水洗后再用。

16.送电过程中炉阻突然增大造成电炉功率骤然下降

其原因是喷炉引起炉芯喷出或炉料下沉使芯体变形。

17.送电过程中炉电阻突然减小造成电流功率骤然增大

这通常是炉体击穿或炉墙间打火，造成泄漏电，电流大增。炉墙间打火的原因是炉墙间绝缘不良，或是保温料和反应料含盐过多，或保温料层太薄，使得炉墙附近的含盐量很高。